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Tony ABI TANNOUS
Faculté des sciences – Chargé de cours
+961 (1) 421 000 tony.abitannous@usj.edu.lb
2016-2017 :Post-doc, Croissance épitaxiale du GaN dopé Mg par la technique VLS" au Laboratoire des multimatériaux et interfaces.2012- 2015 : Allocataire Recherche "Croissance de la phase MAX sur SiC, contact ohmique stable et fiable à haute température" au Laboratoire Ampère (INSA de Lyon) 2011- 2012 : Allocataire Recherche "Quantification des propriétés électromécaniques d’un microsystème piézoélectrique en fonction de la contrainte appliquée sur l’axe de vibration : étude métrologique" a linstitut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie (Valencienne)
Education
| Diplôme | Université | Pays | Année |
|---|---|---|---|
Teaching at USJ
University teaching outside USJ
Professional experience outside USJ
Areas of expertise
Research themes
▪ Réaction métal - SiC à haute température▪ Techniques de caractérisation physico-chimique (DRX, MEB, TEM, XPS)▪ Méthodes de dépôt métallique (évaporation par canon à électron et pulvérisation cathodique)▪ Réalisation de dessin des masques (layout) avec cadence virtuoso▪ Fabrication des motifs de test électrique en salle blanche (gravure RIE, photolithographie...)▪ Caractérisation électrique à température ambiante et à haute température (technique 4-pointes)
Publications and communications
- Microelectronics Reliability: “Stable reliable ohmic contact on p-type 4H-SiC up to 1500 h of aging at 600 °C”, Valdemar Abou Hamad, Tony Abi Tannous, Maher Soueidan, Laurent Gremillard, Damien Fabregue, Jose Penuelas, Youssef Zaatar- Applied Surface Science: “Parametric investigation of the formation of epitaxial Ti3SiC2 on 4H-SiC from Al-Ti annealing”, T. Abi-Tannous, M. Soueidan, G. Ferro, M. Lazar, B. Toury, J.F. Barbot, J. Penuelas and D. Planson.- IEEE-TED: “a study on the temperature of ohmic contacte to p-type SiC based on Ti3SiC2 phase”, Tony Abi-Tannous, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Mihai Lazar, Christophe Raynaud, Bérangère Toury, Marie-France Beaufort, Jean-Francois Barbot, Olivier Dezellus, and Dominique Planson.- Journal of Crystal Growth: “Low temperature homoepitaxy of GaN structures by Vapor Liquid Solid transport”, Alexandre Jaud, Laurent Auvray, Abdelkarim Kahouli, Tony Abi-Tannous, Sébastien Linas, Gabriel Ferro and Christian Brylinski.- Physica Status Solidi a: “Highly Mg-doped GaN dots and films grown by VLS transport at low temperature”, Alexandre Jaud, Laurent Auvray, Abdelkarim Kahouli, Tony Abi-Tannous, François Cauwet, Gabriel Ferro, and Christian Brylinski.- “Thermally stable ohmic contact to p-type 4H-SiC based on Ti3SiC2 phase”, T. Abi-Tannous, M. Soueidan, G. Ferro, M. Lazar, C. Raynaud, B. Gardiola and D. Planson.- “A study on the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing”, T. Abi-Tannous, M. Soueidan, G. Ferro, M. Lazar, B. Toury, M.F. Beaufort, J.F. Barbot, J. Penuelas and D. Planson.- “Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p à base de carbure Ti3SiC2”, T. Abi-Tannous- “Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p: réalisation de phases MAX”, T. Abi-Tannous, M. Soueidan, G. Ferro, M. Lazar, B. Toury, J.F. Barbot, J. Penuelas et D. Planson.